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產(chǎn)品型號：CS-620F
更新時間：2024-08-28簡要描述：日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量，與其他方法相比，需要的維護和耗材更少。
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 |
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量，與其他方法相比，需要的維護和耗材更少。
主要特征：
可測量高達 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機制和冷卻時間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃），可直接測量。
樣品使用PFA接觸，以降低污染風險。
采用每半年一次的背景校正周期，有助于顯著減少機臺停機時間。
每3秒更新一次測量數(shù)據(jù)，有助于更快速使用濃度反饋進行控制
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液，但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量，與其他方法相比，需要的維護和耗材更少。
主要特征：
可測量高達 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機制和冷卻時間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃），可直接測量。
樣品使用PFA接觸，以降低污染風險。
采用每半年一次的背景校正周期，有助于顯著減少機臺停機時間。
每3秒更新一次測量數(shù)據(jù)，有助于更快速使用濃度反饋進行控制
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