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更新時(shí)間：2024-08-22 
瀏覽次數(shù)：190德國(guó)FITOK原子層沉積隔膜閥ALD系列的介紹
半導(dǎo)體應(yīng)用-FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥
簡(jiǎn)介
原子層沉積 (Atomic Layer Deposition) 是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āｋS著芯片節(jié)點(diǎn)尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)沉積技術(shù)已達(dá)到其極限，在納米級(jí)上沉積超薄層需要原子層沉積 (ALD) 技術(shù)，該技術(shù)可使材料一次沉積一個(gè)原子層。FITOK ALD 系列原子層沉積隔膜閥可應(yīng)用于原子層沉積工藝，在半導(dǎo)體芯片制造的沉積工藝中輸送精確劑量的氣體，以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)所需的均勻氣體沉積。
特征
1.高速執(zhí)行下超高循環(huán)壽命
2.響應(yīng)速度快，可在低于 5 ms 內(nèi)完成閥門(mén)開(kāi)啟和關(guān)閉
3.耐熱型延長(zhǎng)熱應(yīng)用場(chǎng)合的執(zhí)行器壽命
4.全封閉閥座設(shè)計(jì)，具有優(yōu)的越的抗膨脹和防污染能力
5.Elgiloy 合金隔膜提高強(qiáng)度和耐腐蝕，使用壽命長(zhǎng)
6.高純級(jí) PFA 閥座，廣泛的化學(xué)兼容性
7.極少產(chǎn)生顆粒和死區(qū)，易吹掃
8.提供帶電感式傳感器、電磁閥組件及加熱棒和熱電偶安裝孔的閥門(mén)
技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用
適用于以下半導(dǎo)體領(lǐng)域的原子層沉積 (ALD)工藝
1.晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2.微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）
3.光電子材料和器件
4.集成電路互連線(xiàn)擴(kuò)散阻擋層
5.平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）
6.光學(xué)元件
7.太陽(yáng)能電池
8.各類(lèi)薄膜（<100 nm）
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